高纯铟
产品描述
铟（In） Indium
1， 物理性质：
原子量：114.818
电负性：1.78
密度：7.31 g/cm3 （20℃）（0-100℃）
熔点：156.5985 ℃
沸点：2072 ℃
2，规格：
化学纯度：
高纯铟：In-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硫，硅，锡，铊，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铟：In-06 纯度99.9999%以上，镉，铜，铁，镁，铅，硫，硅，锡杂质总含量小于1ppm；
超高纯铟：In-07 纯度99.99999%以上，银，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm；
3，物理性状：棒，锭，片，粒，丸。
4，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基极以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。
付款方式︰ TT
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