高纯铟

铟（In） Indium

1， 物理性质：

密度：7.31 g/cm³ （20℃）（0-100℃）

熔点：156.5985 ℃

沸点：2072 ℃

2，规格：

化学纯度：

高纯铟：In-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硫，硅，锡，铊，锌杂质总含量小于10ppm；

超纯铟：In-06 纯度99.9999%以上，镉，铜，铁，镁，铅，硫，硅，锡杂质总含量小于1ppm；

超高纯铟：In-07 纯度99.99999%以上，银，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm；

3，物理性状：棒，锭，片，粒，丸。

4，用途：

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基极以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。

5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。