高純氧化銦，三氧化二銦（In2O3）99.99% -99.999% 1，技術對接：氣相沉積CVD—採用高頻加熱，高純氬氣攜帶銦蒸氣進入反應室與過量的氧氣O2，氣相沉積而成。 2，純度：99.999%or 5N。 3，檢驗：XRD 注：所有的雜質元素（包括過渡元素，稀土元素）都低於1ppm 4，包裝：三層真空包裝。 5，用途：主要用於紅外光纖；透明電極和電子元件材料。 6，服務：提供MSDS 及其防護措施，免費樣品。 7，交期：7-10天/10Kgs。
