銦（In） Indium
1， 物理性質：
原子量：114.818
電負性：1.78
密度：7.31 g/cm3 （20℃）（0-100℃）
熔點：156.5985 ℃
沸點：2072 ℃
2，規格：
化學純度：
高純銦：In-05 純度99.999%以上，銀，鋁，砷，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硫，硅，錫，鉈，鋅雜質總含量小於10ppm；
超純銦：In-06 純度99.9999%以上，鎘，銅，鐵，鎂，鉛，硫，硅，錫雜質總含量小於1ppm；
超高純銦：In-07 純度99.99999%以上，銀，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，鋅雜質總含量小於0.1ppm；
3，物理性狀：棒，錠，片，粒，丸。
4，用途：
主要用於制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，高純合金，超低溫冷卻，晶體管基極以及鍺，硅單晶的摻雜劑，銦封，ITO，核輻射安全監控，電接觸元件，焊料等。
5，包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶真空封裝。
